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AOZ5332QI
IC

QFN-31(5x5)

可供量大可议

AOZ5332QI

是一种高效同步降压功率级模块, 由两个不对称MOSFET和一个集成驱动器组成。 MOSFET针对同步降压配置中的操作进行了单独优化。 高端MOSFET经过优化, 可实现低电容和栅极电荷, 以实现低占空比操作下的快速开关。 低端MOSFET具有超低导通电阻, 可将传导损耗降至最低。 使用PWM输入来精确控制功率MOSFET的开关活动, 与3V和5V(CMOS)逻辑兼容, 并支持三态PWM。 提供了许多特性, 使其成为一款高度通用的电源模块。 自举二极管集成在驱动器中。 低端MOSFET可以驱动到二极管仿真模式, 以提供异步操作并改善轻载性能。 引脚排列也针对低寄生效应进行了优化, 将其影响降至最低。

品牌

AOS

封装

QFN-31(5x5)

库存

100

货期

现货

AOZ5332QI参数

封装QFN-31(5x5)
品牌AOS
批次24+
类型MOSFET
开关频率2MHz
工作温度-40℃~+125℃
宽度5mm
分类智能功率模块(IPM)
库存100
MOQ / SPQ1 / 1
工作电压4.5V~5.5V
静态电流(Iq)1uA
长度5mm
功能特性过温保护带迟滞; 欠压锁定带迟滞; 带使能

AOZ5332QI概述

是一种高效同步降压功率级模块, 由两个不对称MOSFET和一个集成驱动器组成。 MOSFET针对同步降压配置中的操作进行了单独优化。 高端MOSFET经过优化, 可实现低电容和栅极电荷, 以实现低占空比操作下的快速开关。 低端MOSFET具有超低导通电阻, 可将传导损耗降至最低。 使用PWM输入来精确控制功率MOSFET的开关活动, 与3V和5V(CMOS)逻辑兼容, 并支持三态PWM。 提供了许多特性, 使其成为一款高度通用的电源模块。 自举二极管集成在驱动器中。 低端MOSFET可以驱动到二极管仿真模式, 以提供异步操作并改善轻载性能。 引脚排列也针对低寄生效应进行了优化, 将其影响降至最低。

AOZ5332QI特性

暂无产品特性。

AOZ5332QI应用领域

暂无应用领域。

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