AOZ5332QI
IC
QFN-31(5x5)
可供量大可议
AOZ5332QI
是一种高效同步降压功率级模块, 由两个不对称MOSFET和一个集成驱动器组成。 MOSFET针对同步降压配置中的操作进行了单独优化。 高端MOSFET经过优化, 可实现低电容和栅极电荷, 以实现低占空比操作下的快速开关。 低端MOSFET具有超低导通电阻, 可将传导损耗降至最低。 使用PWM输入来精确控制功率MOSFET的开关活动, 与3V和5V(CMOS)逻辑兼容, 并支持三态PWM。 提供了许多特性, 使其成为一款高度通用的电源模块。 自举二极管集成在驱动器中。 低端MOSFET可以驱动到二极管仿真模式, 以提供异步操作并改善轻载性能。 引脚排列也针对低寄生效应进行了优化, 将其影响降至最低。
品牌
AOS
封装
QFN-31(5x5)
库存
100
货期
现货
AOZ5332QI参数
| 封装 | QFN-31(5x5) |
|---|---|
| 品牌 | AOS |
| 批次 | 24+ |
| 类型 | MOSFET |
| 开关频率 | 2MHz |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
| 宽度 | 5mm |
| 分类 | 智能功率模块(IPM) |
|---|---|
| 库存 | 100 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V |
| 静态电流(Iq) | 1uA |
| 长度 | 5mm |
| 功能特性 | 过温保护带迟滞; 欠压锁定带迟滞; 带使能 |
AOZ5332QI概述
是一种高效同步降压功率级模块, 由两个不对称MOSFET和一个集成驱动器组成。 MOSFET针对同步降压配置中的操作进行了单独优化。 高端MOSFET经过优化, 可实现低电容和栅极电荷, 以实现低占空比操作下的快速开关。 低端MOSFET具有超低导通电阻, 可将传导损耗降至最低。 使用PWM输入来精确控制功率MOSFET的开关活动, 与3V和5V(CMOS)逻辑兼容, 并支持三态PWM。 提供了许多特性, 使其成为一款高度通用的电源模块。 自举二极管集成在驱动器中。 低端MOSFET可以驱动到二极管仿真模式, 以提供异步操作并改善轻载性能。 引脚排列也针对低寄生效应进行了优化, 将其影响降至最低。
AOZ5332QI特性
暂无产品特性。
AOZ5332QI应用领域
暂无应用领域。
