AOTL66912-MS

此款AOTL66912-MS场效应管采用1个N沟道设计， 应用了先进的大电流TOLL封装， 以高电流承载与优异导通性能为核心优势：100V漏源击穿电压VDSS搭配350A最大漏极电流ID， 可稳定应对高功率负载需求； 1.4mΩ 低导通电阻RDON有效降低能量损耗， 提升电能转换效率。 器件采用成熟工艺设计， 保障高负载条件下的稳定性与耐久性， 广泛适配高效电源变换装置、储能管理系统、智能电力设备及高性能计算平台等场景， 精准满足对电能转换效率与系统可靠性有高要求的应用需求。