AOTF7N65
IC
TO-220F
可供量大可议
AOTF7N65
该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和3.9A的连续漏极电流（ID）， 在25℃下典型导通电阻（RDS(on)）为1555mΩ。 栅源驱动电压范围为-8V至+20V， 确保器件在多种驱动条件下稳定工作。 凭借碳化硅材料的优异特性， 该器件在高频、高效率应用场景中表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性， 适用于对能效和紧凑布局有较高要求的电源转换系统。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F
库存
43
货期
现货
AOTF7N65参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 43 |
AOTF7N65概述
该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和3.9A的连续漏极电流（ID）， 在25℃下典型导通电阻（RDS(on)）为1555mΩ。 栅源驱动电压范围为-8V至+20V， 确保器件在多种驱动条件下稳定工作。 凭借碳化硅材料的优异特性， 该器件在高频、高效率应用场景中表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性， 适用于对能效和紧凑布局有较高要求的电源转换系统。
AOTF7N65特性
暂无产品特性。
AOTF7N65应用领域
暂无应用领域。