AOTF66616L
IC
TO-220F
可供量大可议
AOTF66616L
沟槽功率MOSFET-AlphaSGTTM技术。 低导通电阻RDS(ON)。 出色的栅极电荷与导通电阻乘积（FOM）。 符合RoHS和无卤标准
品牌
AOS
封装
TO-220F
库存
5
货期
现货
AOTF66616L参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | AOS |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
AOTF66616L概述
沟槽功率MOSFET-AlphaSGTTM技术。 低导通电阻RDS(ON)。 出色的栅极电荷与导通电阻乘积（FOM）。 符合RoHS和无卤标准
AOTF66616L特性
暂无产品特性。
AOTF66616L应用领域
暂无应用领域。