AOTF15S65L

该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源电压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID）， 导通电阻低至260mΩ， 适用于高效率功率转换设计。 其栅源电压范围为-5V至+16V， 确保了驱动兼容性与工作稳定性。 得益于碳化硅材料优异的开关特性与耐高温性能， 该器件可在高频、高压环境下可靠运行， 广泛用于开关电源、光伏逆变、储能系统及高密度电源模块等应用场合， 有助于提升系统整体能效并减小散热设计负担。