AOTF14N50

本款N沟道场效应管（MOSFET）具有20A的最大漏极电流ID和500V的漏源击穿电压VDSS， 适用于较高功率与电压的应用场景。 其导通电阻RDON为260mΩ， 在同类器件中具备良好的导电性能与较低的能量损耗。 该MOSFET适合用于电源转换、电机驱动、高频开关及各类中高功率电子设备中， 提供稳定且高效的电流控制能力， 满足多样化电路设计需求。