AOTF12T50P

本款N沟道场效应管（MOSFET）具备13A的连续漏极电流（ID）和500V的漏源耐压（VDSS）， 适用于多种中高功率应用场景。 导通电阻（RDON）为400mΩ， 有助于降低导通损耗， 提高整体能效。 器件结构稳定， 响应速度快， 适合用于开关电源、电机驱动、照明控制及家用电器等通用电子电路中， 满足对性能与可靠性有要求的设计需求。