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AOT416L
IC

TO-220

可供量大可议

AOT416L

该N沟道场效应管最大漏极电流为33A, 漏源击穿电压100V, 导通电阻30毫欧, 栅源耐压20V。 其参数组合平衡了电流承载与开关特性, 适用于中等功率的直流变换器、电动工具控制板及照明驱动电路。 在负载切换和脉宽调制应用中, 该器件能提供稳定的导通性能, 满足常规电源管理对效率与可靠性的基础需求。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220

库存

16

货期

现货

AOT416L参数

封装TO-220
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存16

AOT416L概述

该N沟道场效应管最大漏极电流为33A, 漏源击穿电压100V, 导通电阻30毫欧, 栅源耐压20V。 其参数组合平衡了电流承载与开关特性, 适用于中等功率的直流变换器、电动工具控制板及照明驱动电路。 在负载切换和脉宽调制应用中, 该器件能提供稳定的导通性能, 满足常规电源管理对效率与可靠性的基础需求。

AOT416L特性

暂无产品特性。

AOT416L应用领域

暂无应用领域。

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