AOT416L
IC
TO-220
可供量大可议
AOT416L
该N沟道场效应管最大漏极电流为33A, 漏源击穿电压100V, 导通电阻30毫欧, 栅源耐压20V。 其参数组合平衡了电流承载与开关特性, 适用于中等功率的直流变换器、电动工具控制板及照明驱动电路。 在负载切换和脉宽调制应用中, 该器件能提供稳定的导通性能, 满足常规电源管理对效率与可靠性的基础需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220
库存
16
货期
现货
AOT416L参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 16 |
AOT416L概述
该N沟道场效应管最大漏极电流为33A, 漏源击穿电压100V, 导通电阻30毫欧, 栅源耐压20V。 其参数组合平衡了电流承载与开关特性, 适用于中等功率的直流变换器、电动工具控制板及照明驱动电路。 在负载切换和脉宽调制应用中, 该器件能提供稳定的导通性能, 满足常规电源管理对效率与可靠性的基础需求。
AOT416L特性
暂无产品特性。
AOT416L应用领域
暂无应用领域。
