AOT2916L
IC
TO-220
可供量大可议
AOT2916L
该N沟道场效应管最大漏极电流为33A, 漏源击穿电压达100V, 导通电阻典型值为30毫欧, 栅源电压耐受范围为20V。 器件凭借低导通损耗特性, 适用于高电流密度的电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统。 其参数设计旨在优化开关效率, 满足各类电子设备对功率级元器件的严苛性能要求, 确保系统在连续负载下的稳定运行。
Brand
HXY MOSFET
Package
TO-220
Stock
23
货期
现货
AOT2916LParameters
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 23 |
AOT2916L概述
该N沟道场效应管最大漏极电流为33A, 漏源击穿电压达100V, 导通电阻典型值为30毫欧, 栅源电压耐受范围为20V。 器件凭借低导通损耗特性, 适用于高电流密度的电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统。 其参数设计旨在优化开关效率, 满足各类电子设备对功率级元器件的严苛性能要求, 确保系统在连续负载下的稳定运行。
AOT2916L特性
暂无产品特性。
AOT2916L应用领域
暂无应用领域。
