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AOT2916L
IC

TO-220

可供量大可议

AOT2916L

该N沟道场效应管最大漏极电流为33A, 漏源击穿电压达100V, 导通电阻典型值为30毫欧, 栅源电压耐受范围为20V。 器件凭借低导通损耗特性, 适用于高电流密度的电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统。 其参数设计旨在优化开关效率, 满足各类电子设备对功率级元器件的严苛性能要求, 确保系统在连续负载下的稳定运行。

Brand

HXY MOSFET

Package

TO-220

Stock

23

货期

现货

AOT2916LParameters

封装TO-220
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存23

AOT2916L概述

该N沟道场效应管最大漏极电流为33A, 漏源击穿电压达100V, 导通电阻典型值为30毫欧, 栅源电压耐受范围为20V。 器件凭借低导通损耗特性, 适用于高电流密度的电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统。 其参数设计旨在优化开关效率, 满足各类电子设备对功率级元器件的严苛性能要求, 确保系统在连续负载下的稳定运行。

AOT2916L特性

暂无产品特性。

AOT2916L应用领域

暂无应用领域。

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