AOT2618L

该N沟道场效应管漏源击穿电压为60V， 连续漏极电流达60A， 导通电阻低至17毫欧， 栅源极耐压20V。 凭借低内阻与大电流承载能力， 器件适用于高功率密度电源转换、电机驱动控制及电池管理系统。 其参数特性支持在低压大电流回路中减少导通损耗， 提升能效， 广泛服务于高性能计算设备、储能装置及大功率消费电子产品的核心电路设计。