AOT2606L
IC
TO-220
可供量大可议
AOT2606L
该N沟道场效应管具备60V的漏源极耐压与80A的连续漏极电流处理能力, 其核心优势在于低至5.8mΩ的导通电阻, 这显著降低了通路损耗与热积累。 配合±20V的栅极耐压范围, 该器件在低压大功率场景下表现出优异的能效特性。 在应用层面, 它非常适合作为储能设备与电池管理系统中的充放电控制开关, 能够应对高倍率电流冲击。 同时, 它也是各类便携式电源及照明驱动电路中理想的功率切换元件, 能够以极小的压降实现高效的电能传输与负载管理。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220
库存
23
货期
现货
AOT2606L参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 23 |
AOT2606L概述
该N沟道场效应管具备60V的漏源极耐压与80A的连续漏极电流处理能力, 其核心优势在于低至5.8mΩ的导通电阻, 这显著降低了通路损耗与热积累。 配合±20V的栅极耐压范围, 该器件在低压大功率场景下表现出优异的能效特性。 在应用层面, 它非常适合作为储能设备与电池管理系统中的充放电控制开关, 能够应对高倍率电流冲击。 同时, 它也是各类便携式电源及照明驱动电路中理想的功率切换元件, 能够以极小的压降实现高效的电能传输与负载管理。
AOT2606L特性
暂无产品特性。
AOT2606L应用领域
暂无应用领域。
