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AOT2606L
IC

TO-220

可供量大可议

AOT2606L

该N沟道场效应管具备60V的漏源极耐压与80A的连续漏极电流处理能力, 其核心优势在于低至5.8mΩ的导通电阻, 这显著降低了通路损耗与热积累。 配合±20V的栅极耐压范围, 该器件在低压大功率场景下表现出优异的能效特性。 在应用层面, 它非常适合作为储能设备与电池管理系统中的充放电控制开关, 能够应对高倍率电流冲击。 同时, 它也是各类便携式电源及照明驱动电路中理想的功率切换元件, 能够以极小的压降实现高效的电能传输与负载管理。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220

库存

23

货期

现货

AOT2606L参数

封装TO-220
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存23

AOT2606L概述

该N沟道场效应管具备60V的漏源极耐压与80A的连续漏极电流处理能力, 其核心优势在于低至5.8mΩ的导通电阻, 这显著降低了通路损耗与热积累。 配合±20V的栅极耐压范围, 该器件在低压大功率场景下表现出优异的能效特性。 在应用层面, 它非常适合作为储能设备与电池管理系统中的充放电控制开关, 能够应对高倍率电流冲击。 同时, 它也是各类便携式电源及照明驱动电路中理想的功率切换元件, 能够以极小的压降实现高效的电能传输与负载管理。

AOT2606L特性

暂无产品特性。

AOT2606L应用领域

暂无应用领域。

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