AOSS32136C-HXY

AOSS32136C N沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23-3L封装， 专为高集成度电路设计。 该器件额定电压为20V（VDSS）， 能承载高达6.5A的连续漏极电流（ID）， 体现强大的电流处理性能。 其卓越的14mR导通电阻（RD(on)）确保在大电流运行时依然保持低功耗和高效率。 适用于电源转换、电机驱动、以及其他需要高电流处理能力且注重能效的电子系统中。