AOSS21319C
IC
SOT-23
可供量大可议
AOSS21319C
采用沟槽功率MOSFET技术。 低导通电阻（RDS(ON)）。 低栅极电荷。 符合RoHS和无卤标准。 具备ESD保护功能
品牌
AOS
封装
SOT-23
库存
195
货期
现货
AOSS21319C参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | AOS |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 195 |
AOSS21319C概述
采用沟槽功率MOSFET技术。 低导通电阻（RDS(ON)）。 低栅极电荷。 符合RoHS和无卤标准。 具备ESD保护功能
AOSS21319C特性
暂无产品特性。
AOSS21319C应用领域
暂无应用领域。