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AOSS21115C
IC

SOT-23-3

可供量大可议

AOSS21115C

采用沟槽功率MOSFET技术。 低导通电阻RDS(ON)。 低栅极电荷。 符合RoHS和无卤标准

品牌

AOS

封装

SOT-23-3

库存

1,785

货期

现货

AOSS21115C参数

封装SOT-23-3
品牌AOS
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存1785

AOSS21115C概述

采用沟槽功率MOSFET技术。 低导通电阻RDS(ON)。 低栅极电荷。 符合RoHS和无卤标准

AOSS21115C特性

暂无产品特性。

AOSS21115C应用领域

暂无应用领域。

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