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AOSP36326C
自营可供
IC

SOIC-8

AOSP36326C

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; 2.5W

品牌

AOS

封装

SOIC-8

交期

现货

批次

25+

AOSP36326C参数

封装SOIC-8
品牌AOS
批次25+
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))9mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))1.8V
输入电容(Ciss)542pF
工作温度-55℃~+150℃
分类场效应管(MOSFET)
库存47,826
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)30V
耗散功率(Pd)2.5W
栅极电荷量(Qg)9nC@10V
反向传输电容(Crss)31pF
输出电容(Coss)233pF

AOSP36326C概述

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; 2.5W

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