AOSP21321
IC
SOIC-8
可供量大可议
AOSP21321
场效应管(MOSFET) 3.1W 30V 11A 1个P沟道
品牌
AOS
封装
SOIC-8
库存
12,214
货期
现货
AOSP21321参数
| 封装 | SOIC-8 |
|---|---|
| 品牌 | AOS |
| 批次 | 两年内 |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V |
| 输入电容(Ciss) | 1.18nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 12,214 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 155pF |
AOSP21321概述
场效应管(MOSFET) 3.1W 30V 11A 1个P沟道
AOSP21321特性
暂无产品特性。
AOSP21321应用领域
暂无应用领域。