AOSD62666E
IC
SOIC-8
可供量大可议
AOSD62666E
场效应管(MOSFET) 2.5W 60V 9.5A 2个N沟道
品牌
AOS
封装
SOIC-8
库存
13,214
货期
现货
AOSD62666E参数
| 封装 | SOIC-8 |
|---|---|
| 品牌 | AOS |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 2个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14.5mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 输入电容(Ciss) | 755pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 13,214 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 栅极电荷量(Qg) | 13.5nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF |
AOSD62666E概述
场效应管(MOSFET) 2.5W 60V 9.5A 2个N沟道
AOSD62666E特性
暂无产品特性。
AOSD62666E应用领域
暂无应用领域。