AONR66406-VB
IC
DFN-8(3x3)
可供量大可议
AONR66406-VB
台积电流片， 长电科技封装； QFN8(3X3)； N—Channel沟道, 40V； 40A； RDS(ON)=4.5mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1.1~2.2V； 是一款单路N沟道MOSFET， 采用Trench技术， 适用于高性能功率控制和开关应用。
品牌
VBsemi
封装
DFN-8(3x3)
库存
11
货期
现货
AONR66406-VB参数
| 封装 | DFN-8(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 11 |
AONR66406-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； QFN8(3X3)； N—Channel沟道, 40V； 40A； RDS(ON)=4.5mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1.1~2.2V； 是一款单路N沟道MOSFET， 采用Trench技术， 适用于高性能功率控制和开关应用。
AONR66406-VB特性
暂无产品特性。
AONR66406-VB应用领域
暂无应用领域。