AONR36329
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
AONR36329
该N沟道场效应管（MOSFET）具有30A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至9mΩ。 其低导通电阻有助于减少导通损耗， 提升整体效率， 适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源管理、开关转换及负载控制等场景。 器件结构支持高速开关操作， 在各类电子系统中可实现稳定可靠的功率切换功能。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
98
货期
现货
AONR36329参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 98 |
AONR36329概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有30A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至9mΩ。 其低导通电阻有助于减少导通损耗， 提升整体效率， 适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源管理、开关转换及负载控制等场景。 器件结构支持高速开关操作， 在各类电子系统中可实现稳定可靠的功率切换功能。
AONR36329特性
暂无产品特性。
AONR36329应用领域
暂无应用领域。