AONR36328

该N沟道场效应管（MOSFET）具备30V的漏源击穿电压（VDSS）和35A的连续漏极电流（ID）， 在典型工作条件下导通电阻（RDS(ON)）低至7.5毫欧。 其低导通电阻有效降低导通损耗， 适用于高效率、大电流的电源开关场景。 器件结构支持快速开关特性， 适合用于电池供电设备、便携式电子产品及各类需要高效能功率转换的电路中， 能够提升系统整体热性能与能效表现。