AONR36326C

该N沟道场效应管（MOSFET）具备35A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为7.5毫欧。 较低的导通电阻有助于降低导通状态下的功率损耗， 提升整体能效。 器件在高频开关条件下仍能保持良好的动态性能， 适用于电源转换、电池管理系统、电机控制以及各类高效率开关电路中， 满足对紧凑布局和热性能要求较高的设计需求。