AONR21357
自营可供
IC
DFN-8(3x3)
AONR21357
场效应管(MOSFET) 5W； 30W 30V 21A； 34A 1个P沟道
品牌
AOS
封装
DFN-8(3x3)
交期
现货
批次
26+
AONR21357参数
| 封装 | DFN-8(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | AOS |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 输入电容(Ciss) | 3.448nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 商品型号 | AONR21357 |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 9,136 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 38W |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@15V |
| 反向传输电容(Crss) | 421pF |
| 商品名称 | 耐压:30V 电流:50A |
| 封装 | PDFN3333-8 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 9.342e-05 |
AONR21357概述
场效应管(MOSFET) 5W； 30W 30V 21A； 34A 1个P沟道
AONR21357特性
- 漏源电压(VDS) = -30 V, 漏极电流(ID) = -50 A
- 栅源电压(VGS) = -10 V时, 导通电阻(RDS(ON))为8.0 mΩ
- 典型值:栅源电压(VGS) = -4.5 V时, 导通电阻(RDS(ON))为18 mΩ
AONR21357应用领域
- 负载/电源开关
- 接口开关
- 逻辑电平转换