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AONR21357
IC

DFN-8(3x3)

可供量大可议

AONR21357

场效应管(MOSFET) 5W; 30W 30V 21A; 34A 1个P沟道

Brand

AOS

Package

DFN-8(3x3)

Stock

35,556

货期

现货

AONR21357Parameters

封装DFN-8(3x3)
品牌AOS
批次26+
数量1个P沟道
导通电阻(RDS(on))12.3mΩ@4.5V
阈值电压(Vgs(th))1.7V
输入电容(Ciss)2.83nF
工作温度-55℃~+150℃
栅极电压(Vgs)±25V
分类场效应管(MOSFET)
库存35,556
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)30V
耗散功率(Pd)30W
栅极电荷量(Qg)25nC@4.5V
反向传输电容(Crss)365pF
输出电容(Coss)430pF

AONR21357概述

场效应管(MOSFET) 5W; 30W 30V 21A; 34A 1个P沟道

AONR21357特性

暂无产品特性。

AONR21357应用领域

暂无应用领域。

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