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AONR21321
自营可供
IC

DFN-8(3x3)

AONR21321

场效应管(MOSFET) 4.1W; 24W 30V 24A 1个P沟道

品牌

AOS

封装

DFN-8(3x3)

交期

现货

批次

两年内

AONR21321参数

封装DFN-8(3x3)
品牌AOS
批次两年内
数量1个P沟道
导通电阻(RDS(on))16.5mΩ@10V
栅极电荷量(Qg)34nC@10V
反向传输电容(Crss)155pF
分类场效应管(MOSFET)
库存6,568
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)30V
阈值电压(Vgs(th))1.3V
输入电容(Ciss)1.18nF
工作温度-55℃~+150℃

AONR21321概述

场效应管(MOSFET) 4.1W; 24W 30V 24A 1个P沟道

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