AONR21321-MS
IC
DFN5x6-8L
可供量大可议
AONR21321-MS
AONR21321-MS采用先进的沟槽技术， 具备出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷， 且能在低至4.5V的栅极电压下工作。 该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
品牌
MSKSEMI
封装
DFN5x6-8L
库存
4,935
货期
现货
AONR21321-MS参数
| 封装 | DFN5x6-8L |
|---|---|
| 品牌 | MSKSEMI(美森科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4935 |
AONR21321-MS概述
AONR21321-MS采用先进的沟槽技术， 具备出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷， 且能在低至4.5V的栅极电压下工作。 该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
AONR21321-MS特性
暂无产品特性。
AONR21321-MS应用领域
暂无应用领域。