AONR21321-HXY
IC
DFN5x6-8L
可供量大可议
AONR21321-HXY
本款消费级P沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装, 额定电压30V, 连续电流高达50A。 专为电源转换、负载开关及电池管理系统设计, 具有卓越的功率处理能力与紧凑体积, 满足现代电子设备高效能与小型化需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN5x6-8L
库存
50
货期
现货
AONR21321-HXY参数
| 封装 | DFN5x6-8L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
AONR21321-HXY概述
本款消费级P沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装, 额定电压30V, 连续电流高达50A。 专为电源转换、负载开关及电池管理系统设计, 具有卓越的功率处理能力与紧凑体积, 满足现代电子设备高效能与小型化需求。
AONR21321-HXY特性
暂无产品特性。
AONR21321-HXY应用领域
暂无应用领域。
