AONR21321(XBLW)
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
AONR21321(XBLW)
AONR21321 使用先进的沟槽技术， 提供优异的导通性能、低栅极电荷， 并能在低至 4.5V 的栅极电压下工作。 该器件适用于电池保护或其他开关应用。
品牌
XBLW
封装
DFN-8L(3x3)
库存
225
货期
现货
AONR21321(XBLW)参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | XBLW(芯伯乐) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 225 |
AONR21321(XBLW)概述
AONR21321 使用先进的沟槽技术， 提供优异的导通性能、低栅极电荷， 并能在低至 4.5V 的栅极电压下工作。 该器件适用于电池保护或其他开关应用。
AONR21321(XBLW)特性
暂无产品特性。
AONR21321(XBLW)应用领域
暂无应用领域。