AON7788
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
AON7788
该N沟道MOSFET具有70A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为30V， 导通电阻低至3.5毫欧。 其低RDS(ON)特性有助于减少导通损耗， 提升整体效率， 在高电流开关应用中表现出良好的热稳定性和功率处理能力。 适用于对能效和紧凑布局有较高要求的电源管理、电池供电系统及各类高频开关电路中， 能够有效支持大电流负载下的稳定运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
453
货期
现货
AON7788参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 453 |
AON7788概述
该N沟道MOSFET具有70A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为30V， 导通电阻低至3.5毫欧。 其低RDS(ON)特性有助于减少导通损耗， 提升整体效率， 在高电流开关应用中表现出良好的热稳定性和功率处理能力。 适用于对能效和紧凑布局有较高要求的电源管理、电池供电系统及各类高频开关电路中， 能够有效支持大电流负载下的稳定运行。
AON7788特性
暂无产品特性。
AON7788应用领域
暂无应用领域。