AON7700
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
AON7700
该N沟道场效应管（MOSFET）具备40A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）仅为5mΩ。 低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗， 有助于提升整体能效和热稳定性。 器件适用于高效率电源转换、负载开关及同步整流等应用场合， 在需要频繁开关或大电流处理的电路中可提供可靠性能。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
74
货期
现货
AON7700参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 74 |
AON7700概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具备40A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）仅为5mΩ。 低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗， 有助于提升整体能效和热稳定性。 器件适用于高效率电源转换、负载开关及同步整流等应用场合， 在需要频繁开关或大电流处理的电路中可提供可靠性能。
AON7700特性
暂无产品特性。
AON7700应用领域
暂无应用领域。