AON7568
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
AON7568
该N沟道MOSFET具有60A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为30V， 导通电阻低至4毫欧。 其低RDS(ON)特性有助于减少导通损耗， 在高电流应用中保持较高效率。 器件适用于对功率密度和热性能有较高要求的场景， 可满足多种电源管理、电机驱动及开关电路中的需求。 由于其高电流承载能力和低导通压降， 适合用于频繁开关或持续大电流工作的电子系统中。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
90
货期
现货
AON7568参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 90 |
AON7568概述
该N沟道MOSFET具有60A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为30V， 导通电阻低至4毫欧。 其低RDS(ON)特性有助于减少导通损耗， 在高电流应用中保持较高效率。 器件适用于对功率密度和热性能有较高要求的场景， 可满足多种电源管理、电机驱动及开关电路中的需求。 由于其高电流承载能力和低导通压降， 适合用于频繁开关或持续大电流工作的电子系统中。
AON7568特性
暂无产品特性。
AON7568应用领域
暂无应用领域。