AON7556
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
AON7556
该N沟道MOSFET具有30A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为9mΩ， 在标准工作条件下可有效控制导通损耗。 适用于中等功率的电源管理、负载开关、电机驱动及高频DC-DC转换等电路场景， 其电气特性有助于维持系统运行的稳定性与效率， 同时对热设计提出较低要求。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
88
货期
现货
AON7556参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 88 |
AON7556概述
该N沟道MOSFET具有30A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为9mΩ， 在标准工作条件下可有效控制导通损耗。 适用于中等功率的电源管理、负载开关、电机驱动及高频DC-DC转换等电路场景， 其电气特性有助于维持系统运行的稳定性与效率， 同时对热设计提出较低要求。
AON7556特性
暂无产品特性。
AON7556应用领域
暂无应用领域。