AON7530
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
AON7530
该N沟道MOSFET具有60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至4毫欧。 其低导通电阻有助于显著降低导通损耗， 提升系统整体能效。 器件适用于高效率开关电源、便携式设备的电源管理模块以及需要大电流处理能力的电子系统， 在高频开关操作中仍能维持良好的热稳定性和电气性能。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
85
货期
现货
AON7530参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 85 |
AON7530概述
该N沟道MOSFET具有60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至4毫欧。 其低导通电阻有助于显著降低导通损耗， 提升系统整体能效。 器件适用于高效率开关电源、便携式设备的电源管理模块以及需要大电流处理能力的电子系统， 在高频开关操作中仍能维持良好的热稳定性和电气性能。
AON7530特性
暂无产品特性。
AON7530应用领域
暂无应用领域。