AON7518
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
AON7518
该N沟道MOSFET额定漏极电流（ID）为35A， 漏源电压（VDSS）为30V， 导通电阻（RDS(ON)）为7.5毫欧。 器件在中等功率开关应用中具备良好的导通特性和较低的导通损耗， 适用于电源管理、电池供电系统、DC-DC转换器及各类电子负载控制场合。 其低RDS(ON)有助于提升能效并减少发热， 配合标准逻辑电平驱动即可实现稳定工作， 在注重空间与效率的电路设计中具有实用价值。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
90
货期
现货
AON7518参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 90 |
AON7518概述
该N沟道MOSFET额定漏极电流（ID）为35A， 漏源电压（VDSS）为30V， 导通电阻（RDS(ON)）为7.5毫欧。 器件在中等功率开关应用中具备良好的导通特性和较低的导通损耗， 适用于电源管理、电池供电系统、DC-DC转换器及各类电子负载控制场合。 其低RDS(ON)有助于提升能效并减少发热， 配合标准逻辑电平驱动即可实现稳定工作， 在注重空间与效率的电路设计中具有实用价值。
AON7518特性
暂无产品特性。
AON7518应用领域
暂无应用领域。