AON7514
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
AON7514
该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）以及4毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。 低导通电阻使其在大电流工作条件下显著降低导通损耗， 提升系统效率。 适用于高效率电源转换、电机驱动、服务器供电及各类需要频繁开关操作的电子系统中， 能够在紧凑布局下维持良好的热稳定性和电气性能。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
70
货期
现货
AON7514参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 70 |
AON7514概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）以及4毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。 低导通电阻使其在大电流工作条件下显著降低导通损耗， 提升系统效率。 适用于高效率电源转换、电机驱动、服务器供电及各类需要频繁开关操作的电子系统中， 能够在紧凑布局下维持良好的热稳定性和电气性能。
AON7514特性
暂无产品特性。
AON7514应用领域
暂无应用领域。