AON7502
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
AON7502
该N沟道MOSFET具备60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）典型值为4mΩ。 在高电流应用场景中， 低导通电阻有助于显著降低功率损耗， 提升整体效率。 器件适用于电源转换、电机控制、电池管理系统及各类高效率开关电路， 能够在频繁开关或持续大电流工作条件下保持稳定性能， 满足对热管理和电气性能要求较高的设计需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
85
货期
现货
AON7502参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 85 |
AON7502概述
该N沟道MOSFET具备60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）典型值为4mΩ。 在高电流应用场景中， 低导通电阻有助于显著降低功率损耗， 提升整体效率。 器件适用于电源转换、电机控制、电池管理系统及各类高效率开关电路， 能够在频繁开关或持续大电流工作条件下保持稳定性能， 满足对热管理和电气性能要求较高的设计需求。
AON7502特性
暂无产品特性。
AON7502应用领域
暂无应用领域。