AON7422G
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
AON7422G
该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至4毫欧。 其低导通电阻有效减小了导通损耗， 有助于提升整体能效与热性能。 适用于对电流承载能力和开关效率要求较高的场合， 如电源管理模块、电机驱动电路及高频开关应用中的功率控制环节， 能够支持稳定可靠的运行表现。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
90
货期
现货
AON7422G参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 90 |
AON7422G概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至4毫欧。 其低导通电阻有效减小了导通损耗， 有助于提升整体能效与热性能。 适用于对电流承载能力和开关效率要求较高的场合， 如电源管理模块、电机驱动电路及高频开关应用中的功率控制环节， 能够支持稳定可靠的运行表现。
AON7422G特性
暂无产品特性。
AON7422G应用领域
暂无应用领域。