AON7416
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
AON7416
该N沟道场效应管（MOSFET）具有45A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、6毫欧的导通电阻（RDS(ON)）以及20V的最大栅源电压（VGS）。 其极低的导通电阻有效降低了导通状态下的功率损耗， 有助于提升系统整体效率。 适用于高电流、高频率的开关应用场景， 如电源管理模块、电机驱动电路及高效能计算设备中的功率调节单元。 器件在高负载条件下仍能保持良好的热性能与电气稳定性。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
97
货期
现货
AON7416参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 97 |
AON7416概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有45A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、6毫欧的导通电阻（RDS(ON)）以及20V的最大栅源电压（VGS）。 其极低的导通电阻有效降低了导通状态下的功率损耗， 有助于提升系统整体效率。 适用于高电流、高频率的开关应用场景， 如电源管理模块、电机驱动电路及高效能计算设备中的功率调节单元。 器件在高负载条件下仍能保持良好的热性能与电气稳定性。
AON7416特性
暂无产品特性。
AON7416应用领域
暂无应用领域。