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AON7406-MS
IC

DFN-8L(3x3)

可供量大可议

AON7406-MS

此款AON7406-MS场效应管, 它具有以下主要参数:最大漏极电流ID为20A, 漏源击穿电压VDSS为30V, 导通电阻RDON低至15mΩ, 适合高效率功率转换应用。 该器件采用先进工艺制造, 具备良好的热稳定性和快速开关特性, 适用于电源管理、电池充放电控制、DC-DC转换器以及各类中高功率电子设备。 其低导通电阻有效降低了导通损耗, 提升了系统整体效率, 同时支持高频工作, 满足对空间和能效有要求的高性能电路设计需求。

品牌

MSKSEMI

封装

DFN-8L(3x3)

库存

940

货期

现货

AON7406-MS参数

封装DFN-8L(3x3)
品牌MSKSEMI(美森科)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存940

AON7406-MS概述

此款AON7406-MS场效应管, 它具有以下主要参数:最大漏极电流ID为20A, 漏源击穿电压VDSS为30V, 导通电阻RDON低至15mΩ, 适合高效率功率转换应用。 该器件采用先进工艺制造, 具备良好的热稳定性和快速开关特性, 适用于电源管理、电池充放电控制、DC-DC转换器以及各类中高功率电子设备。 其低导通电阻有效降低了导通损耗, 提升了系统整体效率, 同时支持高频工作, 满足对空间和能效有要求的高性能电路设计需求。

AON7406-MS特性

暂无产品特性。

AON7406-MS应用领域

暂无应用领域。

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