AON7406-MS
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
AON7406-MS
此款AON7406-MS场效应管, 它具有以下主要参数:最大漏极电流ID为20A, 漏源击穿电压VDSS为30V, 导通电阻RDON低至15mΩ, 适合高效率功率转换应用。 该器件采用先进工艺制造, 具备良好的热稳定性和快速开关特性, 适用于电源管理、电池充放电控制、DC-DC转换器以及各类中高功率电子设备。 其低导通电阻有效降低了导通损耗, 提升了系统整体效率, 同时支持高频工作, 满足对空间和能效有要求的高性能电路设计需求。
品牌
MSKSEMI
封装
DFN-8L(3x3)
库存
940
货期
现货
AON7406-MS参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | MSKSEMI(美森科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 940 |
AON7406-MS概述
此款AON7406-MS场效应管, 它具有以下主要参数:最大漏极电流ID为20A, 漏源击穿电压VDSS为30V, 导通电阻RDON低至15mΩ, 适合高效率功率转换应用。 该器件采用先进工艺制造, 具备良好的热稳定性和快速开关特性, 适用于电源管理、电池充放电控制、DC-DC转换器以及各类中高功率电子设备。 其低导通电阻有效降低了导通损耗, 提升了系统整体效率, 同时支持高频工作, 满足对空间和能效有要求的高性能电路设计需求。
AON7406-MS特性
暂无产品特性。
AON7406-MS应用领域
暂无应用领域。
