AON7400A-HXY
IC
DFN3x3-8L
可供量大可议
AON7400A-HXY
AON7400A N沟道MOSFET采用紧凑型DFN3X3-8L封装， 结合了高效散热与小巧体积设计。 该器件性能强劲额定漏源电压(VDSS)高达30V， 可稳定承载60A连续电流， 且导通电阻(RD(on))仅为6mΩ， 确保了卓越的电力传输效率和低损耗运行。 广泛应用于电源转换、负载开关等高电流处理场景， 是提升系统性能与节能方案的理想半导体元件选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN3x3-8L
库存
950
货期
现货
AON7400A-HXY参数
| 封装 | DFN3x3-8L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 950 |
AON7400A-HXY概述
AON7400A N沟道MOSFET采用紧凑型DFN3X3-8L封装， 结合了高效散热与小巧体积设计。 该器件性能强劲额定漏源电压(VDSS)高达30V， 可稳定承载60A连续电流， 且导通电阻(RD(on))仅为6mΩ， 确保了卓越的电力传输效率和低损耗运行。 广泛应用于电源转换、负载开关等高电流处理场景， 是提升系统性能与节能方案的理想半导体元件选择。
AON7400A-HXY特性
暂无产品特性。
AON7400A-HXY应用领域
暂无应用领域。