AON7380-MS
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
AON7380-MS
此款AON7380-MS是一款高性能N沟道MOSFET， 采用DFN3X3-8L先进封装， 专为大电流、低损耗应用设计。 器件具有30V的漏源电压(VDSS)， 能在仅6mR的超低导通电阻(RD(on))下， 承载高达60A的漏极电流(ID)。 广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域， 其卓越的电流处理能力和能效表现， 使之成为优化系统性能、降低能耗的理想半导体元件。
品牌
MSKSEMI
封装
DFN-8L(3x3)
库存
4,235
货期
现货
AON7380-MS参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | MSKSEMI(美森科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4235 |
AON7380-MS概述
此款AON7380-MS是一款高性能N沟道MOSFET， 采用DFN3X3-8L先进封装， 专为大电流、低损耗应用设计。 器件具有30V的漏源电压(VDSS)， 能在仅6mR的超低导通电阻(RD(on))下， 承载高达60A的漏极电流(ID)。 广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域， 其卓越的电流处理能力和能效表现， 使之成为优化系统性能、降低能耗的理想半导体元件。
AON7380-MS特性
暂无产品特性。
AON7380-MS应用领域
暂无应用领域。