AON7380-HXY

AON7380 是一款高性能N沟道MOSFET， 采用DFN3X3-8L先进封装， 专为大电流、低损耗应用设计。 器件具有30V的漏源电压(VDSS)， 能在仅6mR的超低导通电阻(RD(on))下， 承载高达60A的漏极电流(ID)。 广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域， 其卓越的电流处理能力和能效表现， 使之成为优化系统性能、降低能耗的理想半导体元件。