AON6558
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
AON6558
该N沟道场效应管最大漏极电流为60A, 漏源击穿电压30V, 导通电阻4.3毫欧, 栅源电压耐受20V。 低导通电阻特性显著降低大电流下的导通损耗, 适用于服务器电源、电池管理系统及电机驱动电路。 其参数支持高频开关操作, 能提升直流转换效率, 常见于通信设备供电单元与高性能消费电子的功率级设计, 满足紧凑空间内的散热与能效需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
40
货期
现货
AON6558参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 40 |
AON6558概述
该N沟道场效应管最大漏极电流为60A, 漏源击穿电压30V, 导通电阻4.3毫欧, 栅源电压耐受20V。 低导通电阻特性显著降低大电流下的导通损耗, 适用于服务器电源、电池管理系统及电机驱动电路。 其参数支持高频开关操作, 能提升直流转换效率, 常见于通信设备供电单元与高性能消费电子的功率级设计, 满足紧凑空间内的散热与能效需求。
AON6558特性
暂无产品特性。
AON6558应用领域
暂无应用领域。
