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AON6558
IC

DFN-8L(5x6)

可供量大可议

AON6558

该N沟道场效应管最大漏极电流为60A, 漏源击穿电压30V, 导通电阻4.3毫欧, 栅源电压耐受20V。 低导通电阻特性显著降低大电流下的导通损耗, 适用于服务器电源、电池管理系统及电机驱动电路。 其参数支持高频开关操作, 能提升直流转换效率, 常见于通信设备供电单元与高性能消费电子的功率级设计, 满足紧凑空间内的散热与能效需求。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN-8L(5x6)

库存

40

货期

现货

AON6558参数

封装DFN-8L(5x6)
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存40

AON6558概述

该N沟道场效应管最大漏极电流为60A, 漏源击穿电压30V, 导通电阻4.3毫欧, 栅源电压耐受20V。 低导通电阻特性显著降低大电流下的导通损耗, 适用于服务器电源、电池管理系统及电机驱动电路。 其参数支持高频开关操作, 能提升直流转换效率, 常见于通信设备供电单元与高性能消费电子的功率级设计, 满足紧凑空间内的散热与能效需求。

AON6558特性

暂无产品特性。

AON6558应用领域

暂无应用领域。

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