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AON6528
IC

DFN-8L(5x6)

可供量大可议

AON6528

这款N沟道场效应管具备60A漏极电流与30V漏源耐压能力, 导通电阻仅为4.3毫欧, 栅源电压耐受值为20V。 低阻抗特性显著降低导通损耗, 适用于大电流负载开关、直流电源转换及电池保护电路。 其参数配置支持高频切换操作, 有助于优化系统热性能并提升整体能效, 常见于高性能计算设备供电及便携式储能装置中。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN-8L(5x6)

库存

305

货期

现货

AON6528参数

封装DFN-8L(5x6)
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存305

AON6528概述

这款N沟道场效应管具备60A漏极电流与30V漏源耐压能力, 导通电阻仅为4.3毫欧, 栅源电压耐受值为20V。 低阻抗特性显著降低导通损耗, 适用于大电流负载开关、直流电源转换及电池保护电路。 其参数配置支持高频切换操作, 有助于优化系统热性能并提升整体能效, 常见于高性能计算设备供电及便携式储能装置中。

AON6528特性

暂无产品特性。

AON6528应用领域

暂无应用领域。

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