AON6528
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
AON6528
这款N沟道场效应管具备60A漏极电流与30V漏源耐压能力, 导通电阻仅为4.3毫欧, 栅源电压耐受值为20V。 低阻抗特性显著降低导通损耗, 适用于大电流负载开关、直流电源转换及电池保护电路。 其参数配置支持高频切换操作, 有助于优化系统热性能并提升整体能效, 常见于高性能计算设备供电及便携式储能装置中。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
305
货期
现货
AON6528参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 305 |
AON6528概述
这款N沟道场效应管具备60A漏极电流与30V漏源耐压能力, 导通电阻仅为4.3毫欧, 栅源电压耐受值为20V。 低阻抗特性显著降低导通损耗, 适用于大电流负载开关、直流电源转换及电池保护电路。 其参数配置支持高频切换操作, 有助于优化系统热性能并提升整体能效, 常见于高性能计算设备供电及便携式储能装置中。
AON6528特性
暂无产品特性。
AON6528应用领域
暂无应用领域。
