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AON6516
IC

DFN-8L(5x6)

可供量大可议

AON6516

该N沟道场效应管最大漏极电流为60A, 漏源击穿电压30V, 导通电阻低至4.3毫欧, 栅源电压耐受范围达20V。 低导通损耗特性使其适用于大电流开关场景, 如服务器电源模块、电池管理系统及电机驱动电路。 其快速开关能力可提升能量转换效率, 适合高频PWM控制应用, 在通信设备供电和消费电子功率级设计中表现稳定可靠。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN-8L(5x6)

库存

47

货期

现货

AON6516参数

封装DFN-8L(5x6)
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存47

AON6516概述

该N沟道场效应管最大漏极电流为60A, 漏源击穿电压30V, 导通电阻低至4.3毫欧, 栅源电压耐受范围达20V。 低导通损耗特性使其适用于大电流开关场景, 如服务器电源模块、电池管理系统及电机驱动电路。 其快速开关能力可提升能量转换效率, 适合高频PWM控制应用, 在通信设备供电和消费电子功率级设计中表现稳定可靠。

AON6516特性

暂无产品特性。

AON6516应用领域

暂无应用领域。

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