AON6516
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
AON6516
该N沟道场效应管最大漏极电流为60A, 漏源击穿电压30V, 导通电阻低至4.3毫欧, 栅源电压耐受范围达20V。 低导通损耗特性使其适用于大电流开关场景, 如服务器电源模块、电池管理系统及电机驱动电路。 其快速开关能力可提升能量转换效率, 适合高频PWM控制应用, 在通信设备供电和消费电子功率级设计中表现稳定可靠。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
47
货期
现货
AON6516参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 47 |
AON6516概述
该N沟道场效应管最大漏极电流为60A, 漏源击穿电压30V, 导通电阻低至4.3毫欧, 栅源电压耐受范围达20V。 低导通损耗特性使其适用于大电流开关场景, 如服务器电源模块、电池管理系统及电机驱动电路。 其快速开关能力可提升能量转换效率, 适合高频PWM控制应用, 在通信设备供电和消费电子功率级设计中表现稳定可靠。
AON6516特性
暂无产品特性。
AON6516应用领域
暂无应用领域。
