AON6407
自营可供
IC
PDFN-8(5.8x4.9)
AON6407
场效应管(MOSFET) 7.3W 30V 32A 1个P沟道
品牌
AOS
封装
PDFN-8(5.8x4.9)
交期
现货
批次
26+
AON6407参数
| 封装 | PDFN-8(5.8x4.9) |
|---|---|
| 品牌 | AOS |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.1mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 输入电容(Ciss) | 8.18nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 945pF |
| 商品名称 | 耐压:30V 电流:100A |
| 封装 | DFN-8(5x6) |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.00016852 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 13,217 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 57W |
| 栅极电荷量(Qg) | 125nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 650pF |
| 类型 | P沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | AON6407 |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
AON6407概述
场效应管(MOSFET) 7.3W 30V 32A 1个P沟道
AON6407特性
- 漏源电压(VDS) = -30V, 漏极电流(ID) = -100A
- 栅源电压(VGS) = -10V时, 导通电阻(RDS(ON)) < 4.1mΩ
- 栅源电压(VGS) = -4.5V时, 导通电阻(RDS(ON)) < 6.6mΩ
- 先进沟槽技术
- 出色的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷
- 无铅
AON6407应用领域
- 脉冲宽度调制(PWM)应用
- 负载开关
- 电源管理