AON6407-HXY
IC
DFN-8(5x6)
可供量大可议
AON6407-HXY
热销AON6407 P沟道MOSFET， 采用坚固耐用的DFN5X6-8L封装， 确保卓越的散热性能与高可靠性。 器件参数强劲支持高达30V的漏源耐压(VDSS)， 峰值电流能力高达110A， 而其超低导通电阻RD(on)仅为3mΩ， 成就卓越能效表现。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8(5x6)
库存
426
货期
现货
AON6407-HXY参数
| 封装 | DFN-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 426 |
AON6407-HXY概述
热销AON6407 P沟道MOSFET， 采用坚固耐用的DFN5X6-8L封装， 确保卓越的散热性能与高可靠性。 器件参数强劲支持高达30V的漏源耐压(VDSS)， 峰值电流能力高达110A， 而其超低导通电阻RD(on)仅为3mΩ， 成就卓越能效表现。
AON6407-HXY特性
暂无产品特性。
AON6407-HXY应用领域
暂无应用领域。