AON6384-HXY

该N沟道场效应管具有30V漏源电压（VDSS）和90A连续漏极电流（ID）能力， 导通电阻低至3mΩ， 具备优异的导通性能和较低的功率损耗。 其低RDSON特性有助于提升系统效率， 减少散热需求， 适用于高密度电源设计。 典型应用包括大电流开关电路、高效DC-DC转换模块、电池管理系统、便携式高功率设备中的电机驱动与电源控制， 适合对能效和热管理有较高要求的电子产品。