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AON6368
IC

DFN-8L(5x6)

可供量大可议

AON6368

该N沟道场效应管最大漏极电流为60A, 漏源击穿电压30V, 导通电阻低至4.3毫欧, 栅源电压耐受20V。 低导通损耗特性使其适用于大电流开关场景, 如服务器电源模块、电池管理系统及高性能电机驱动电路。 其参数设计兼顾效率与热管理需求, 适合高频率切换应用, 能有效降低系统能耗并提升功率密度表现。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN-8L(5x6)

库存

110

货期

现货

AON6368参数

封装DFN-8L(5x6)
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存110

AON6368概述

该N沟道场效应管最大漏极电流为60A, 漏源击穿电压30V, 导通电阻低至4.3毫欧, 栅源电压耐受20V。 低导通损耗特性使其适用于大电流开关场景, 如服务器电源模块、电池管理系统及高性能电机驱动电路。 其参数设计兼顾效率与热管理需求, 适合高频率切换应用, 能有效降低系统能耗并提升功率密度表现。

AON6368特性

暂无产品特性。

AON6368应用领域

暂无应用领域。

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