AON6368
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
AON6368
该N沟道场效应管最大漏极电流为60A, 漏源击穿电压30V, 导通电阻低至4.3毫欧, 栅源电压耐受20V。 低导通损耗特性使其适用于大电流开关场景, 如服务器电源模块、电池管理系统及高性能电机驱动电路。 其参数设计兼顾效率与热管理需求, 适合高频率切换应用, 能有效降低系统能耗并提升功率密度表现。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
110
货期
现货
AON6368参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 110 |
AON6368概述
该N沟道场效应管最大漏极电流为60A, 漏源击穿电压30V, 导通电阻低至4.3毫欧, 栅源电压耐受20V。 低导通损耗特性使其适用于大电流开关场景, 如服务器电源模块、电池管理系统及高性能电机驱动电路。 其参数设计兼顾效率与热管理需求, 适合高频率切换应用, 能有效降低系统能耗并提升功率密度表现。
AON6368特性
暂无产品特性。
AON6368应用领域
暂无应用领域。
