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AON6362-HXY
IC

DFN5X6-8L

可供量大可议

AON6362-HXY

本款消费级N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装, 额定电压30V, 连续电流高达70A。 专为高功率密度和高效能应用设计, 适用于电源转换、电机驱动及电池管理系统, 提供卓越的散热性能与空间利用率。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN5X6-8L

库存

2,185

货期

现货

AON6362-HXY参数

封装DFN5X6-8L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存2185

AON6362-HXY概述

本款消费级N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装, 额定电压30V, 连续电流高达70A。 专为高功率密度和高效能应用设计, 适用于电源转换、电机驱动及电池管理系统, 提供卓越的散热性能与空间利用率。

AON6362-HXY特性

暂无产品特性。

AON6362-HXY应用领域

暂无应用领域。

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