AON6362-HXY
IC
DFN5X6-8L
可供量大可议
AON6362-HXY
本款消费级N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装, 额定电压30V, 连续电流高达70A。 专为高功率密度和高效能应用设计, 适用于电源转换、电机驱动及电池管理系统, 提供卓越的散热性能与空间利用率。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN5X6-8L
库存
2,185
货期
现货
AON6362-HXY参数
| 封装 | DFN5X6-8L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2185 |
AON6362-HXY概述
本款消费级N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装, 额定电压30V, 连续电流高达70A。 专为高功率密度和高效能应用设计, 适用于电源转换、电机驱动及电池管理系统, 提供卓越的散热性能与空间利用率。
AON6362-HXY特性
暂无产品特性。
AON6362-HXY应用领域
暂无应用领域。
