AON3611-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
AON3611-HXY
此款消费级N+P沟道MOSFET采用DFN3X3-8L封装， 集成双通道技术， 额定电压30V， 最大连续电流16A。 专为现代电子设备设计， 适用于电源转换、负载管理与电池系统控制， 提供高效能、紧凑型的半导体解决方案。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
1,883
货期
现货
AON3611-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1883 |
AON3611-HXY概述
此款消费级N+P沟道MOSFET采用DFN3X3-8L封装， 集成双通道技术， 额定电压30V， 最大连续电流16A。 专为现代电子设备设计， 适用于电源转换、负载管理与电池系统控制， 提供高效能、紧凑型的半导体解决方案。
AON3611-HXY特性
暂无产品特性。
AON3611-HXY应用领域
暂无应用领域。